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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4862DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4862DY-T1-E3价格参考。VishaySI4862DY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4862DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4862DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4862DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI4862DY-T1-E3 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换器中,作为开关元件以降低功耗。 - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可用作负载开关,控制电路的开启和关闭,同时减少静态电流损耗。 - 电池管理系统 (BMS):适用于锂电池保护电路,用于防止过流、短路或反向充电。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低导通损耗有助于提高效率。 3. 信号切换 - 用于音频信号切换、传感器信号切换等场景,能够实现低失真和高可靠性的信号传输。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻和快速响应能力,可设计高效的过流保护电路。 - ESD 保护:在敏感电路中,该 MOSFET 可作为保护元件,防止静电放电对系统造成损害。 5. 消费电子 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中,用于电源管理和信号切换。 - 在 USB 充电器和接口中,可用作开关元件,支持快速充电功能。 6. 工业应用 - 在工业自动化领域,可用于控制继电器、LED 驱动和小型执行器等。 总结 SI4862DY-T1-E3 凭借其优异的电气性能(如低 Rds(on)、高开关速度和小封装尺寸),适合需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用场景。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOICMOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 17 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4862DY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4862DY-T1-E3 |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 38 ns |
下降时间 | 38 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 25A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
典型关闭延迟时间 | 120 ns |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 16V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4862DY-E3 |