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  • 型号: SI4862DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4862DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4862DY-T1-E3价格参考。VishaySI4862DY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4862DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4862DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4862DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI4862DY-T1-E3 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换器中,作为开关元件以降低功耗。
   - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可用作负载开关,控制电路的开启和关闭,同时减少静态电流损耗。
   - 电池管理系统 (BMS):适用于锂电池保护电路,用于防止过流、短路或反向充电。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低导通损耗有助于提高效率。

 3. 信号切换
   - 用于音频信号切换、传感器信号切换等场景,能够实现低失真和高可靠性的信号传输。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻和快速响应能力,可设计高效的过流保护电路。
   - ESD 保护:在敏感电路中,该 MOSFET 可作为保护元件,防止静电放电对系统造成损害。

 5. 消费电子
   - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中,用于电源管理和信号切换。
   - 在 USB 充电器和接口中,可用作开关元件,支持快速充电功能。

 6. 工业应用
   - 在工业自动化领域,可用于控制继电器、LED 驱动和小型执行器等。

 总结
SI4862DY-T1-E3 凭借其优异的电气性能(如低 Rds(on)、高开关速度和小封装尺寸),适合需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用场景。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOICMOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4862DY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI4862DY-T1-E3

Pd-功率耗散

1.6 W

RdsOn-漏源导通电阻

3.3 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

38 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

600mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.3 毫欧 @ 25A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

120 ns

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

16V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4862DY-E3

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