【未分类_3N163】封装/厂家_3N163中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： 3N163
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3N163由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3N163价格参考。Vishay3N163封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3N163参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3N163 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Semiconductor Diodes Division（现为Vishay的一部分）的3N163是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），而非MOSFET——需特别注意：其数据手册明确标注为JFET（Junction FET），属于晶体管 - FET类中的JFET单管，并非MOSFET。该器件采用TO-92封装，具有低噪声、高输入阻抗、优良的热稳定性和简单偏置特性。

典型应用场景包括：  
✅ 音频前置放大器：因其低噪声和高输入阻抗，常用于麦克风、电吉他拾音器等模拟信号的首级放大；  
✅ 电压控制电阻/模拟开关：利用其可变沟道电阻特性，适用于程控增益调节或信号通断控制；  
✅ 恒流源电路：配合简单偏置即可构成稳定电流源，用于LED驱动或传感器偏置；  
✅ 射频检波与混频（低频至中频段）：在AM收音机、简易无线接收电路中用作检波元件；  
✅ 工业传感接口：如高阻抗传感器（如压电、光电二极管）的信号缓冲与阻抗变换。

注意事项：3N163为耗尽型JFET（常开型），需负栅压关断；最大漏源电压V₃₃ₛ = 25 V，连续漏极电流I_DSS ≈ 1–3 mA（典型值），功耗低（PD ≈ 310 mW），适用于低压、小信号、低功耗模拟电路，不适用于功率开关或高频高速数字开关场景。

（注：因已停产多年，当前多用于维修替换或教育实验，设计新项目建议评估替代型号如J310、2N5457等。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	3N163
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3.5pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	250 欧姆 @ 100µA， 20V
供应商器件封装	TO-72
功率-最大值	375mW
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-206AF，TO-72-4 金属罐
标准包装	200
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	50mA （Ta）