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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3N163由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3N163价格参考。Vishay3N163封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3N163参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3N163 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 3N163 是一款经典的 P 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于中小功率的模拟和数字电路中。由于其良好的性能和可靠性,3N163 常用于以下几种典型应用场景: 1. 开关电路:3N163 常用于低频开关应用中,如电源开关、负载控制等,适用于需要中等功率控制的场合。 2. 电压反向保护:在电源管理系统中,该器件可用于防止电源反接造成的损坏,常见于电池供电设备中。 3. 信号电平转换:由于其良好的导通特性和低漏电流,3N163 可用于数字电路中的电平转换与隔离。 4. 音频放大电路:在一些模拟音频电路中,3N163 被用作输入级或驱动级的放大元件,因其具有较低的噪声和良好的线性特性。 5. 逻辑控制电路:在 TTL 或 CMOS 逻辑电路中,用于控制外围设备的通断或实现逻辑功能。 3N163 采用 TO-72 或类似小型封装,适合印刷电路板(PCB)空间有限的场合,且易于焊接与更换,是许多经典电子设计中常用的元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 3N163 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 10µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 欧姆 @ 100µA, 20V |
供应商器件封装 | TO-72 |
功率-最大值 | 375mW |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 |
标准包装 | 200 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50mA (Ta) |