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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TN0200K-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TN0200K-T1-E3价格参考。VishayTN0200K-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TN0200K-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TN0200K-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的TN0200K-T1-E3是一款N沟道MOSFET,属于单功率晶体管,广泛应用于需要高效、小型化设计的电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,用于电源管理、电池开关和负载切换等电路,因其低导通电阻(RDS(on))和小封装(如SOT-23),有助于减少功耗和节省空间。 该器件也适用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和同步整流电路,在这些应用中可提升转换效率并降低发热。此外,TN0200K-T1-E3常用于电机驱动、LED驱动及各类低电压开关控制场合,适合工作电压较低(通常在20V以内)的系统。 由于具备快速开关特性与良好的热稳定性,它还被用于各类消费类电子和工业控制中的信号开关或保护电路。整体而言,TN0200K-T1-E3凭借其高可靠性、小尺寸和优异电气性能,特别适用于对空间和能效要求较高的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 730MA SOT23-3MOSFET 20V 0.73A 0.35W 0.4ohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 730 mA |
| Id-连续漏极电流 | 730 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix TN0200K-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TN0200K-T1-E3TN0200K-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | TN0200K-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | TN0200K-E3 |