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- 型号： IXTA26P10T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA26P10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA26P10T价格参考。IXYSIXTA26P10T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA26P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA26P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA26P10T是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于功率开关应用。该器件具有较高的电流承载能力和良好的导通电阻特性，适用于需要高效功率控制的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、电源开关电路，用于高效调节和分配电能。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中作为功率开关，实现对电机启停与方向的控制。 3. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）或工业控制设备中的负载开关。 4. 电池供电设备：如便携式仪器、电动工具等，用于电池充放电管理和负载切换。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、照明控制或辅助电机驱动。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中高功率应用。在使用时需注意栅极驱动电压与电路保护设计，以确保稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXTA26P10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchP™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3820pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
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