Datasheet下载- 型号： PSMN3R0-30YL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R0-30YL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R0-30YL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R0-30YL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R0-30YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R0-30YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R0-30YL,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和良好的开关性能，因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压电路中作为开关元件，提供高效的功率转换。 - 开关电源 (SMPS)：在开关模式电源中充当主开关器件，支持高频开关操作。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电源分配，保护下游电路免受过流或短路影响。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：用于电机驱动器的逆变桥电路，实现对电机的精确控制。 - 步进电机驱动：通过 PWM 控制调节电流和速度，适用于工业自动化设备。 - 风扇和泵控制：用于小型家电中的电机驱动，提供高效和安静的运行。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用作电池充放电路径的开关，防止过充、过放或短路。 - 均衡电路：在多节电池组中实现电压均衡，延长电池寿命。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如电动窗、雨刷器、座椅调节等应用中的功率控制。 - LED 照明驱动：用于汽车前大灯、尾灯或内部照明的恒流驱动。 - 启停系统：在汽车启停系统中作为开关元件，控制启动电机的供电。 5. 消费类电子产品 - 便携式设备：如笔记本电脑适配器、移动电源、充电器等中的功率开关。 - 音频功放：用于 D 类放大器的输出级，提供高效的声音信号放大。 - 智能家居设备：如智能插座、智能灯具等的功率控制。 6. 工业控制 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：用于控制继电器、电磁阀或其他负载。 - 伺服系统：在精密运动控制系统中作为功率开关，确保快速响应和稳定性。 - 焊接设备：用于控制焊接电流的开启和关闭。 特性总结 PSMN3R0-30YL,115 的低导通电阻（典型值为 3.0 mΩ）使其能够减少传导损耗，提高整体效率；同时，其高雪崩能量能力增强了在恶劣条件下的可靠性。这些特性使其非常适合需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET <=30V N CH TRENCHFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R0-30YL,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R0-30YL,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 81 W |
| Pd-功率耗散 | 81 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2822pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4681-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 81W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
| 零件号别名 | PSMN3R0-30YL T/R |
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