Datasheet下载- 型号： FDMC8360L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8360L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8360L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8360L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMC8360L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC8360L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8360L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： FDMC8360L 的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地处理高电流负载，降低能量损耗，提高整体效率。 2. 直流电机驱动： 该器件适用于小型直流电机的驱动电路，尤其是在电池供电设备中。它的低导通电阻有助于减少电机运行时的功率损耗，延长电池寿命。 3. 负载开关： 在便携式电子设备中，FDMC8360L 可用作高效的负载开关，控制电路中不同部分的供电状态，从而实现功耗管理。 4. 电池保护电路： 由于其低导通电阻和较小的封装尺寸，FDMC8360L 常用于锂离子电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过流、短路或过度放电。 5. LED 驱动： 该 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED，特别是在需要 PWM 调光的应用中。它能够提供稳定的电流输出并支持高频调光。 6. 汽车电子： 在汽车应用中，例如电动车窗、座椅调节、雨刷控制系统等，FDMC8360L 的耐高温特性和可靠性使其成为理想选择。 7. 信号切换： 在通信设备或工业控制领域，FDMC8360L 可用于信号切换或隔离，确保信号传输的稳定性和安全性。 总结来说，FDMC8360L 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，特别适合需要高效功率转换和低损耗操作的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A POWER33MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8360LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC8360L |
| Pd-PowerDissipation | 54 W |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| Qg-GateCharge | 80 nC |
| Qg-栅极电荷 | 80 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5795pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 27A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power33 |
| 其它名称 | FDMC8360LDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 152.700 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | Power 33-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 138 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fdmc8360l-nchannel-shielded-gate-power-trench-mosfet/50437 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta）， 80A （Tc） |
| 系列 | FDMC8360 |
| 配置 | Single |
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