Datasheet下载- 型号： CSD16406Q3
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16406Q3由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16406Q3价格参考。Texas InstrumentsCSD16406Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16406Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16406Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16406Q3 是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于超小型封装的单MOSFET器件，广泛应用于对空间和效率要求较高的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 同步降压转换器：常用于DC-DC转换电路中作为高边或低边开关，适用于服务器、笔记本电脑和通信设备中的高效电压调节模块（VRM），提供高效率和低功耗表现。 2. 负载开关与电源管理：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能和系统稳定性。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动，常见于工业自动化、无人机和电动工具中。 4. 热插拔与电源冗余设计：在电信和网络设备中，用于实现安全的带电插拔功能，防止电流冲击。 5. LED驱动与电池管理系统：在电池供电设备中作为开关元件，提升能效并延长续航时间。 CSD16406Q3采用1.5mm × 1.5mm SON-6封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值为9.8mΩ）、高开关速度和优良的散热性能，适合高密度PCB布局。其耐压为25V，适合低压大电流应用，兼顾性能与可靠性，是现代高效电源设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16406Q3NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16406Q3 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W |
| Qg-栅极电荷 | 5.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 12.9 ns |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24251-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 8.5 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16406Q3 |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 53 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta）， 60A （Tc） |
| 系列 | CSD16406Q3 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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