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  • 型号: STW40N60M2
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STW40N60M2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW40N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW40N60M2价格参考¥25.80-¥25.80。STMicroelectronicsSTW40N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 34A(Tc) 250W(Tc) TO-247。您可以下载STW40N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW40N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 34A TO-247MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

34 A

Id-连续漏极电流

34 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW40N60M2MDmesh™ II Plus

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产品型号

STW40N60M2

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

57 nC

Qg-栅极电荷

57 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

88 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

88 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

13.5 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2500pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

57nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

88 毫欧 @ 17A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

其它名称

497-14203-5

典型关闭延迟时间

96 ns

功率-最大值

250W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Tc)

系列

STW40N60M2

配置

Single

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