Datasheet下载- 型号： IXTX110N20L2
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX110N20L2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX110N20L2价格参考。IXYSIXTX110N20L2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTX110N20L2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTX110N20L2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTX110N20L2 是由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域：
1. 电源管理
- IXTX110N20L2 的额定电压为 200V，额定电流为 110A，适用于高压和大电流的电源管理系统。例如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- AC-DC 电源模块
2. 电机驱动
- 该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，非常适合用于电机驱动电路，如：
- 工业电机控制
- 伺服电机驱动
- 电动工具中的无刷直流电机（BLDC）
3. 逆变器与变频器
- 在逆变器和变频器中，IXTX110N20L2 可用于将直流电转换为交流电，或调节输出频率和电压。典型应用包括：
- 太阳能逆变器
- 工业变频器
- 家用电器中的变频控制（如空调、冰箱等）
4. 电池管理系统（BMS）
- 由于其高耐压特性和低导通损耗，该 MOSFET 可用于电池保护电路，例如：
- 电动汽车（EV）电池组保护
- 储能系统中的充放电控制
- UPS（不间断电源）中的开关元件
5. 工业自动化
- 在工业自动化设备中，IXTX110N20L2 可作为功率开关或负载驱动元件，应用于：
- PLC（可编程逻辑控制器）输出驱动
- 固态继电器（SSR）
- 工业机器人中的运动控制
6. 汽车电子
- 该 MOSFET 还可用于汽车电子系统中，例如：
- 启动马达控制
- 车载充电器
- LED 照明驱动
7. 其他应用
- 高效功率放大器
- 脉冲宽度调制（PWM）控制器
- 电磁阀驱动
IXTX110N20L2 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on)、高击穿电压和快速开关速度），在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。选择具体应用场景时，需根据实际需求评估其工作条件是否符合器件规格。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTX110N20L2Linear L2™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTX110N20L2 |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 500 nC |
| Qg-栅极电荷 | 500 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 135 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 3mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 500nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | LinearL2 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | IXTX110N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
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