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  • 型号: IRF7526D1
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7526D1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7526D1价格参考。International RectifierIRF7526D1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7526D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7526D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF7526D1 是一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热性能,适用于需要高效开关和电源管理的场景。

IRF7526D1 主要应用于便携式电子设备和电池供电系统,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源等,常用于电源开关、负载开关或电池反向保护电路中。其P沟道特性使其在高边开关应用中表现出色,能够有效控制电源通断,减少功耗,延长电池续航时间。

此外,该型号也广泛用于DC-DC转换器、电机驱动电路和各类电源管理系统中,特别适合空间受限但要求高可靠性的设计。由于其封装小巧(如SO-8),便于集成于紧凑型PCB布局中,同时具备良好的散热性能。

IRF7526D1 还可用于热插拔电路和过流保护设计,提供稳定的电压切换与系统保护功能。总体而言,它是一款高性能、低功耗的MOSFET,适用于消费电子、工业控制及通信设备中的电源管理解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

产品分类

FET - 单

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF7526D1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

FETKY™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

180pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

Micro8™

功率-最大值

1.25W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

标准包装

95

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

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