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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7526D1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7526D1价格参考。International RectifierIRF7526D1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7526D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7526D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7526D1 是一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热性能,适用于需要高效开关和电源管理的场景。 IRF7526D1 主要应用于便携式电子设备和电池供电系统,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源等,常用于电源开关、负载开关或电池反向保护电路中。其P沟道特性使其在高边开关应用中表现出色,能够有效控制电源通断,减少功耗,延长电池续航时间。 此外,该型号也广泛用于DC-DC转换器、电机驱动电路和各类电源管理系统中,特别适合空间受限但要求高可靠性的设计。由于其封装小巧(如SO-8),便于集成于紧凑型PCB布局中,同时具备良好的散热性能。 IRF7526D1 还可用于热插拔电路和过流保护设计,提供稳定的电压切换与系统保护功能。总体而言,它是一款高性能、低功耗的MOSFET,适用于消费电子、工业控制及通信设备中的电源管理解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管(隔离式) |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF7526D1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |