ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BMS3004-1E
Datasheet下载- 型号： BMS3004-1E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BMS3004-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BMS3004-1E价格参考。ON SemiconductorBMS3004-1E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 75V 68A（Ta） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3SG。您可以下载BMS3004-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BMS3004-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BMS3004-1E是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。它广泛应用于多种电力电子设备中，尤其适合需要高效、低损耗和高可靠性的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 BMS3004-1E常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频开关状态下保持较低的功耗，提高电源转换效率，减少发热。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等，BMS3004-1E可以作为功率级开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗有助于提高系统的响应速度和能效。 3. 电池管理系统（BMS） BMS3004-1E在电池管理系统中扮演着关键角色，尤其是在电动汽车（EV）、储能系统（ESS）等领域。它可以用于电池充放电保护电路中，防止过充、过放、短路等问题，确保电池的安全运行。 4. 负载开关 该器件也适用于各种负载开关应用，例如移动设备、笔记本电脑、服务器等电子产品中的电源通断控制。其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性使得它能够在短时间内完成电源切换，减少瞬态电流冲击。 5. LED驱动 在LED照明系统中，BMS3004-1E可以用作调光控制器或恒流源的关键组件。通过精确控制电流，确保LED灯的亮度稳定，并延长其使用寿命。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口、伺服控制系统等，BMS3004-1E可以作为信号隔离和功率放大元件，实现对复杂工业环境下的精准控制。 总结 BMS3004-1E凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关、LED驱动以及工业自动化等多个领域。其低导通电阻、快速开关特性和低栅极电荷等特点，使其成为高效、节能的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SGMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 68 A |
| Id-连续漏极电流 | 68 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BMS3004-1E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BMS3004-1E |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 300 nC |
| Qg-栅极电荷 | 300 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.6 V |
| 上升时间 | 245 ns |
| 下降时间 | 650 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 34A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3SG |
| 典型关闭延迟时间 | 1400 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 68A （Ta） |
| 系列 | BMS3004 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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