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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ14由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ14价格参考。VishayIRLZ14封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLZ14参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ14 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLZ14 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于中低功率的开关和功率控制应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理,因其导通电阻低、响应速度快,适合高效率电源设计。 2. 电机控制:常用于小型电机驱动电路,如电动工具、风扇和泵的控制,具备良好的开关特性和耐压能力。 3. 电池供电设备:用于便携式电子产品(如移动电源、LED灯具)中的功率开关,支持低电压驱动,适合由微控制器直接控制。 4. 汽车电子:应用于汽车中的辅助电机、继电器替代和车载电源系统,具有较强的可靠性和耐环境能力。 5. 工业自动化:在PLC、传感器模块和工业控制设备中,用于实现高速开关和负载隔离。 该器件采用TO-220封装,便于散热和安装,适合通孔焊接,广泛用于各类中功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 10 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLZ14- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ14IRLZ14 |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 6A,5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRLZ14 |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 43W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |