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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6626由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6626价格参考。International RectifierIRF6626封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6626参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6626 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF6626的晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,主要用于高功率、高频率的电力电子设备中。该器件是一款单N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的场合。 IRF6626的应用场景主要包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动车、电动工具等中的电机控制电路,作为功率开关使用。 3. 电池管理系统(BMS):在储能系统、电动车电池管理中,用于电池充放电控制与保护。 4. 逆变器系统:如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等,用于将直流电转换为交流电。 5. 照明系统:如LED驱动电源,用于调节电流和提高能效。 由于其高效率、耐高压和大电流特性,IRF6626广泛应用于工业控制、汽车电子、新能源等领域,是实现高效功率管理的重要元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6626 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2380pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.4 毫欧 @ 16A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
其它名称 | IRF6626TR |
其它有关文件 | |
功率-最大值 | 2.2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
标准包装 | 4,800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta), 72A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6626.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6626.spi |