Datasheet下载- 型号： SIA483DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA483DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA483DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA483DJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA483DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA483DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA483DJ-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 开关模式电源 (SMPS)：适用于各种 SMPS 应用，如适配器、充电器和工业电源，能够减少功率损耗并提高效率。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动步进电机、直流无刷电机 (BLDC) 或有刷直流电机，实现精确的速度和方向控制。 - H 桥电路：在 H 桥配置中，SIA483DJ-T1-GE3 可作为开关元件，用于双向电机控制。 3. 负载开关 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过流、短路或反向电流的影响。 - 便携式设备：在手机、平板电脑和其他便携式电子产品中，作为高效负载开关使用。 4. 信号切换 - 音频信号切换：由于其低导通电阻特性，可以用于音频信号的切换，减少信号失真。 - 数据线路保护：在 USB、以太网或其他高速数据接口中，用于线路保护和切换。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、LED 照明和传感器接口等，需要高可靠性和高效性能的应用。 - 电动助力转向 (EPS) 和 制动系统：在汽车的辅助驾驶系统中，用于精确的功率控制。 6. 照明应用 - LED 驱动器：在 LED 照明系统中，用于恒流驱动和调光功能。 - 高压气体放电灯 (HID)：作为启动和稳压电路的一部分。 特性总结 - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 高可靠性：满足工业和汽车级应用的严格要求。 总之，SIA483DJ-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业设备、通信系统和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?62779 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA483DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA483DJ-T1-GE3SIA483DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 45 nC |
| Qg-栅极电荷 | 45 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.2 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1550pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA483DJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | PowerPAK, TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 23 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/12-v-20-v-and-30-v-gen-iii-pchannel-mosfets/50387 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 配置 | Single |
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