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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7611-55B,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7611-55B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7611-55B,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7611-55B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7611-55B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK7611-55B,118 是一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET类别,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其典型应用场景包括电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备以及负载开关电路。 该器件具有55V的漏源电压(VDS)和较低的导通电阻(RDS(on)),可在高电流条件下实现较小的功率损耗,提升系统能效。因此,常用于笔记本电脑、移动设备、工业控制板等对空间和效率要求较高的电子产品中。 BUK7611-55B,118 还适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐电源模块或车身控制模块,因其具备良好的热稳定性和可靠性,符合汽车行业对元器件的严苛要求。此外,在LED照明驱动和电源适配器中,该MOSFET可作为高效开关元件,帮助实现节能设计。 综上,BUK7611-55B,118 凭借其优异的电气性能和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域的中低压功率开关场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BUK7611-55B,118 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2604pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-5851-2 |
功率-最大值 | 157W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |