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- 型号： BSS138AKAR
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138AKAR由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138AKAR价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsBSS138AKAR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSS138AKAR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS138AKAR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS138AKAR 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沾极小信号增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。该型号具有低电压操作、高开关速度和小封装尺寸等特点，适用于多种电子电路场景。以下是 BSS138AKAR 的主要应用场景： 1. 开关电路 BSS138AKAR 常用于低电压开关应用，例如电源管理电路中的负载开关、继电器驱动或 LED 驱动。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在开关状态下效率较高，能够减少功率损耗。 2. 信号切换 在音频设备或通信系统中，BSS138AKAR 可用作信号切换器件，用于选择不同的输入或输出路径。其快速开关特性和低电容使得它适合高频信号切换任务。 3. 保护电路 该 MOSFET 可用于设计过流保护、短路保护或反向电池保护电路。通过检测异常电流并迅速关闭 MOSFET，可以有效保护下游电路免受损害。 4. 便携式设备 由于 BSS138AKAR 的低功耗特性和小型化封装（如 SOT323 或 SC-70），它非常适合应用于对空间要求较高的便携式设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 5. 电池管理系统 (BMS) 在锂电池或其他类型电池的管理系统中，BSS138AKAR 可用作充电/放电控制开关，帮助实现精确的电池状态监控和保护功能。 6. 逻辑电平兼容性 BSS138AKAR 的栅极阈值电压较低，可以直接与常见的 CMOS 或 TTL 逻辑电平配合使用，简化了驱动电路的设计。 总结来说，BSS138AKAR 因其优异的性能和紧凑的设计，在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域都有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH SGL 60V TO-236ABMOSFET BSS138AKA/TO-236AB/REELLP |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138AKAR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138AKAR |
| Pd-PowerDissipation | 1060 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.06 W |
| Qg-GateCharge | 0.39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 Ohms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250A |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 47pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.51nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10469-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 320 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BSS138BK,215 |
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