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BSP126,115产品简介:
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Nexperia USA Inc. 生产的 BSP126,115 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电子应用场景。以下是其主要的应用领域: 1. 电源管理: BSP126,115 可用于 DC-DC 转换器、开关稳压器和线性稳压器等电源管理电路中,作为开关元件或负载控制器件,提供高效的功率转换。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 适合小型直流电机或步进电机的驱动电路,能够快速切换并控制电流流向,实现电机的正转、反转及调速功能。 3. 信号切换: 在需要高频信号切换的场景中(如音频信号切换或数据传输线路切换),BSP126,115 的低电容和快速开关特性使其成为理想选择。 4. 负载开关: 用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关应用,可实现对不同模块的供电控制,降低功耗。 5. 保护电路: 在过流保护、短路保护或反向电池保护电路中,BSP126,115 可作为关键的开关元件,确保系统安全运行。 6. 汽车电子: 虽然 BSP126,115 主要针对消费类电子市场,但在某些低功率汽车电子应用中(如 LED 照明控制或传感器接口),它也可以发挥作用。 7. 消费类电子产品: 广泛应用于家用电器(如风扇、水泵控制器)、音频设备(如放大器开关电路)以及其他低功率电子设备中。 总结来说,BSP126,115 凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于各种需要高效功率转换和信号切换的场景,特别是在低功率和中小功率应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223MOSFET TAPE-7 MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 375 mA |
Id-连续漏极电流 | 375 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP126,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BSP126,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 300mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-6219-1 |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.8 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 250 V |
漏极连续电流 | 375 mA |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 375mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | BSP126 T/R |