Datasheet下载- 型号： IRFS7440PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS7440PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS7440PBF价格参考。International RectifierIRFS7440PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFS7440PBF 是一款功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。以下是其典型的应用场景： 1. 电源转换系统：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高能量转换效率，降低功耗。 2. 电机控制：在工业自动化与电动工具中，用于控制直流无刷电机的驱动电路，具备快速开关特性，提升响应速度与控制精度。 3. 负载开关与继电器替代：作为固态开关使用，实现对高电流负载的高效控制，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统（BMS）：常见于电动车、储能系统中，用于电池充放电控制，保障系统安全运行。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源及太阳能逆变器中，用作功率开关元件，支持高频切换，提高系统整体效率。 该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻、高耐压能力（漏源击穿电压达200V），适合高温环境下稳定工作，广泛用于工业、汽车电子、消费类电源设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 120A D2PAKMOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, D2-Pak |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 208 A |
| Id-连续漏极电流 | 208 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS7440PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS7440PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 135 nC |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 68 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （D²Pak） |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 88 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 208 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
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