ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMB11,135
Datasheet下载- 型号： PUMB11,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB11,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB11,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMB11,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB11,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB11,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB11,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、MCU）GPIO口驱动LED、继电器、小型蜂鸣器或光耦输入端，简化电路设计，提升可靠性。 2. 开关应用：作为低压、小电流（IC ≤ 100 mA）开关，适用于电源管理中的负载使能控制、LED背光控制、传感器信号调理等。 3. 信号调理与缓冲：在传感器（如霍尔开关、接近开关）输出级作电平整形与电流增强，提高抗干扰能力。 4. 消费电子与工业控制板卡：广泛应用于打印机、家电主控板、智能电表、IoT终端等空间受限场景，因SOT-363（SC-70-6）封装尺寸小、集成度高，可节省PCB面积并减少元件数量。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat)）、良好温度稳定性及ESD防护（HBM > 2 kV），适合-55°C 至 +150°C宽温工作环境。注意其非功率器件，不适用于大电流或高频放大场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMB11,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934056289135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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