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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF0201NLT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF0201NLT1价格参考。ON SemiconductorMMBF0201NLT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBF0201NLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF0201NLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF0201NLT1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于小信号MOSFET,常用于低功耗、高频开关场景。其应用场景主要包括: 1. 射频(RF)开关与控制电路:该器件具备快速开关特性,适合用于射频信号的路由与切换,如在通信设备中作为天线切换或信号路径选择开关。 2. 模拟开关与多路复用器:由于其导通电阻较低且开关速度快,可用于模拟信号路径的切换,如音频或传感器信号的选通控制。 3. 低电压逻辑控制电路:MMBF0201NLT1适用于数字电路中作为负载开关或电平转换器,尤其在需要低功耗和小封装的便携式设备中表现优异。 4. 电源管理应用:可作为小型DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中的电源控制元件,实现高效能管理。 5. 放大器电路:在低噪声放大器或开关模式放大器中,作为增益控制或信号调制元件。 该器件采用SOT-23小封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于通信模块、消费电子、工业控制及便携设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF0201NLT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 300mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF0201NLT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Ta) |