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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF6665TR1PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF6665TR1PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6665TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6665TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6665TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SH。您可以下载IRF6665TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6665TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6665TR1PBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，常用于高效率、高频率的电源转换和功率控制应用。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、开关电源（SMPS）中，因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于提高能效并减少发热。

2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具、工业自动化设备等，提供高效、可靠的开关控制。

3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路中，保障电池组的安全运行。

4. 照明系统：如LED驱动电源，支持高频率PWM调光，提高光源控制精度。

5. 汽车电子：包括车载充电系统、DC-DC转换模块、车身控制模块等，符合AEC-Q101汽车级标准，具备良好的可靠性。

该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，便于自动化生产，适用于中高功率应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETMOSFET 100V N-CH DirectFET for Digital Audio
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.2 A
Id-连续漏极电流	4.2 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6665TR1PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF6665TR1PBF
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	42 W
Pd-功率耗散	42 W
Qg-GateCharge	8.7 nC
Qg-栅极电荷	8.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	62 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	62 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	2.8 ns
下降时间	4.3 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	530pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	13nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	62 毫欧 @ 5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录绘图
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	DIRECTFET™ SH
其它名称	IRF6665TR1PBFCT
功率-最大值	2.2W
功率耗散	42 W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	62 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	DirectFET™ 等容 SH
封装/箱体	DirectFET-6 SH
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
栅极电荷Qg	8.7 nC
标准包装	1
正向跨导-最小值	6.6 S
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	4.2 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.2A （Ta）， 19A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6665.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6665.spi
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V