Datasheet下载- 型号： FDP2670
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP2670由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP2670价格参考。Fairchild SemiconductorFDP2670封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP2670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP2670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP2670 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于高效能开关元件。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，提供快速开关和低导通电阻。 3. 负载开关：用于控制电源系统中不同模块的通断，如电池供电设备中的负载管理。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器或变频电路中作为功率开关使用。 5. LED照明驱动：用于高亮度LED驱动电路中的开关控制。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP2670 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1320pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 93W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta） |
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