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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06L-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06L-1G价格参考。ON SemiconductorNTD18N06L-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD18N06L-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD18N06L-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06L-1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和功率控制领域。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于笔记本电脑、通信设备和工业控制系统。 2. 电机控制:用于直流电机、步进电机的驱动电路中,实现高效、快速的开关控制。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制电源对负载的供电,常见于电池管理系统和智能电源分配系统。 4. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中用于电能转换。 5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动、电动工具等对效率和散热有要求的场景。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(60V)和较大导通电流(18A)的特点,适合高频开关应用,且封装体积小,利于高密度电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD18N06L-1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 675pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 9A,5V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 55W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta) |