Datasheet下载- 型号： STF13NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF13NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF13NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTF13NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF13NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF13NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF13NM60ND 是 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STF13NM60ND 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，它可以作为主开关管用于升压、降压或反激式转换器中。 - 在 AC-DC 转换器中，该器件可以处理高压输入并实现高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，特别是在需要高电压和中等电流的应用场合。 - 其低导通电阻（典型值为 1.4Ω）有助于减少功率损耗，提高电机驱动效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STF13NM60ND 可用作功率开关，将直流电转换为交流电。 - 它的快速开关特性支持高效的能量转换。 4. 负载切换 - 该器件适用于需要高电压切换的应用，例如汽车电子中的负载切换或工业设备中的继电器替代方案。 - 其高击穿电压和低漏电流特性确保了在待机状态下的低功耗。 5. 电池保护与管理 - 在电池管理系统（BMS）中，STF13NM60ND 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制。 - 它能够承受电池组的高电压，并提供可靠的开关功能。 6. 家电与照明 - 在家用电器中，如洗衣机、空调或冰箱的压缩机驱动电路中，该 MOSFET 可以用作功率开关。 - 在 LED 照明领域，它可用于恒流驱动电路或调光控制器中。 7. 工业自动化 - 在工业自动化设备中，STF13NM60ND 可用于固态继电器、伺服电机控制或其他需要高电压、高可靠性的应用场景。 总结 STF13NM60ND 凭借其 600V 的耐压能力、低导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载切换、电池管理、家电照明以及工业自动化等领域。这些应用场景充分利用了其高效率、高可靠性和紧凑封装的优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FPMOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF13NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF13NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 24.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 15.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 845pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13865-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 380 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 系列 | STF13NM60ND |
| 配置 | Single |
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