Datasheet下载- 型号： IRFU2607ZPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU2607ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU2607ZPBF价格参考。International RectifierIRFU2607ZPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFU2607ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU2607ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体公司，其FET（场效应晶体管）产品广泛应用于各种电子设备中。型号为IRFU2607ZPBF的MOSFET是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效能电源系统。 2. 电机控制：用于直流电机驱动、步进电机控制器及电动车控制系统中，提供快速开关和高效能输出。 3. 负载开关与继电器替代：在工业自动化设备中用作电子开关，代替传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 4. 电池管理系统（BMS）：适用于电动工具、电动自行车及储能系统的充放电控制电路。 5. 照明系统：如LED驱动器和高亮度照明控制电路，支持高效调光和稳定电流控制。 6. 消费类电子产品：例如智能手机充电器、移动电源等便携设备中实现高效能功率转换。 总之，IRFU2607ZPBF凭借其优异的性能，广泛适用于需要高效、小型化和高可靠性设计的功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 42A I-PAKMOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU2607ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU2607ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2607z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2607z.spi |
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