Datasheet下载- 型号： SI3473DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3473DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3473DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3473DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3473DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3473DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3473DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用作开关元件，在降压、升压或升降压转换器中实现高效的电压调节。 - 负载开关：用于动态控制电路的通断，减少功耗并保护下游电路。 - 电池管理系统 (BMS)：在电池充电和放电过程中提供低导通电阻路径，降低能量损耗。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机速度和方向。 - 在 H 桥或半桥拓扑结构中作为开关元件。 3. 信号切换 - 用于音频、视频或其他信号的切换，确保信号完整性的同时降低插入损耗。 - 在多路复用器中实现输入/输出通道的选择。 4. 保护电路 - 过流保护：利用 MOSFET 的快速响应特性检测异常电流，并切断电路以防止损坏。 - 反向电压保护：防止设备因电源极性接反而受损。 5. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 - 用于 USB 充电端口的电流限制和保护功能。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中，作为传感器接口或执行器驱动的开关元件。 - 用于 LED 驱动电路，提供高效率和稳定的工作性能。 特点支持的应用优势： - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，如开关电源和逆变器。 - 小型封装 (DFN3030-8)：节省 PCB 空间，便于设计紧凑型产品。 - 高可靠性：满足严苛环境下的长期稳定运行需求。 总之，SI3473DV-T1-GE3 的高性能和小尺寸使其成为各种低功率和高效能应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3473DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.9A （Ta） |
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