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产品简介:
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NTMFS4935NBT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: NTMFS4935NBT3G 适合用于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性可减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、转速和方向。 3. 负载切换: 在消费电子、工业设备和汽车电子中,可用于动态负载切换,确保系统稳定运行并保护电路免受过载影响。 4. 电池管理系统(BMS): 适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路,提供过流保护、短路保护以及充放电控制功能。 5. 通信设备: 在基站、路由器和其他通信基础设施中,可用作信号路径中的开关或功率分配单元。 6. 汽车电子: 由于其可靠性和高效性能,该 MOSFET 可用于车载电子系统,如信息娱乐系统、LED 照明驱动和车身控制系统。 7. 消费类电子产品: 在笔记本电脑适配器、平板电脑、智能手机快充模块等产品中,用作高效能的功率开关。 总之,NTMFS4935NBT3G 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式,广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 13A SO8 FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4935NBT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4850pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 930mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 93A (Tc) |