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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPC40PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPC40PBF价格参考。VishayIRFPC40PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFPC40PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPC40PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPC40PBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源开关电路:适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中,用于高效控制电池供电路径和电源切换。 3. 电机控制与驱动:在小型电机驱动电路中作为功率开关使用,适用于电动工具、风扇控制和小型自动化设备。 4. 负载保护电路:可用于过流保护、热插拔控制和电源冗余设计中,实现对关键电路的隔离与保护。 5. 工业控制系统:如PLC模块、工业电源模块中,用于高可靠性开关控制。 该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247ACMOSFET N-Chan 600V 6.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPC40PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFPC40PBFIRFPC40PBF |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 4.1A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFPC40PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 6.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |