Datasheet下载- 型号： BUK652R0-30C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK652R0-30C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK652R0-30C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK652R0-30C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK652R0-30C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK652R0-30C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BUK652R0-30C,127 是一款30V N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（典型值为2.0mΩ），适用于高效率、大电流开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备优异的热稳定性和可靠性，广泛用于对能效和空间要求较高的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关，尤其在服务器、通信设备和工业电源中，有助于提升转换效率并降低功耗。 2. 电池供电系统：因其低导通电阻和高效性能，广泛应用于笔记本电脑、移动设备和便携式电子产品的电池管理系统中，减少能量损耗，延长续航时间。 3. 电机驱动：适合小型直流电机或步进电机的控制电路，如电动工具、家用电器和自动化设备中的驱动模块。 4. 热插拔与电源保护电路：可用于防止过流和短路的电源保护设计，保障系统安全运行。 5. 汽车电子：在车载电源系统、LED照明驱动和车身控制模块中也有应用，满足AEC-Q101标准的部分严苛环境要求。 BUK652R0-30C,127 采用LFPAK（Power-SO8）封装，散热性能好，支持表面贴装，有利于实现紧凑型高功率密度设计。其高性能和小尺寸特点，使其成为现代电子设备中理想的大电流开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK652R0-30C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14964pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 229nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7490-5 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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