Datasheet下载- 型号： IXFB38N100Q2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB38N100Q2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB38N100Q2价格参考。IXYSIXFB38N100Q2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFB38N100Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFB38N100Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB38N100Q2是一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET，适用于多种高功率应用场景。该器件具有1000V的漏源击穿电压和38A的连续漏极电流能力，适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。 该MOSFET主要应用于工业电源、高压直流电源转换系统、电机驱动、逆变器以及电焊机等高功率设备中。其快速开关特性和低导通电阻使其在高频开关电源（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）中表现出色，有助于提升系统效率并减小散热需求。 此外，IXFB38N100Q2也适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电变流器，能够在恶劣环境下稳定工作，满足高压高功率转换需求。其优异的热稳定性和耐用性也使其在电动汽车充电设备和储能系统中得到应用。 总之，IXFB38N100Q2是一款适用于工业、能源、电力电子等领域的高性能MOSFET，适合需要高电压、大电流和高可靠性的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFB38N100Q2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | PLUS264™ |
| 功率-最大值 | 890W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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