Datasheet下载- 型号： CSD16408Q5C
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16408Q5C由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16408Q5C价格参考。Texas InstrumentsCSD16408Q5C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16408Q5C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16408Q5C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments 的 CSD16408Q5C 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。该器件采用 5mm x 6mm 的小型封装，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等电源管理相关的设计中。 该 MOSFET 特别适用于高效率、高密度的电源解决方案，例如在服务器电源、电信设备、工业自动化系统以及汽车电子中常见。由于其良好的热性能和封装设计，CSD16408Q5C 也常用于需要并联多个 MOSFET 来提高电流处理能力的应用中。 此外，该器件支持高频率开关操作，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统的功率密度。其栅极设计兼容标准逻辑电平，便于与各类驱动器或控制器配合使用。 总之，CSD16408Q5C 是一款适用于多种中高功率应用的高性能 MOSFET，尤其适合对效率、散热和空间布局有较高要求的电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 113A 8SONMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 113 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16408Q5CNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16408Q5C |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 6.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 10.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON-EP（5x6） |
| 其它名称 | 296-25647-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16408Q5C |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/DualCool.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A（Ta）， 113A（Tc） |
| 系列 | CSD16408Q5C |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
