Datasheet下载- 型号： IRF7946TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7946TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7946TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7946TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7946TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7946TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7946TR1PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其应用场景广泛，主要适用于以下领域： 1. 电源管理 - IRF7946TR1PBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块中，作为高效的开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够降低功率损耗，提高系统效率。 - 在电池充电器中，该MOSFET可用于控制充电电流和保护电路。 2. 电机驱动 - 该型号适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效率的开关功能。 - 可应用于家用电器（如风扇、泵）和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 - 在电子设备中，IRF7946TR1PBF可用作负载开关，实现对不同负载的快速开启和关闭，同时减少功耗和热量产生。 4. 逆变器和太阳能应用 - 该MOSFET可应用于小型逆变器中，用于将直流电转换为交流电。 - 在分布式太阳能发电系统中，它可以用作功率转换的一部分，帮助优化能量传输。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，IRF7946TR1PBF可用于车载电子设备的电源管理、LED照明驱动以及电动车窗或座椅调节系统的电机控制。 6. 信号放大与切换 - 它可以用于音频信号放大器或其他需要高频开关的应用中，提供快速的切换速度和稳定的性能。 技术特点支持的应用需求： - 低导通电阻：降低功耗，提高能效。 - 高开关速度：适合高频应用场合。 - 高耐压能力：支持较宽的工作电压范围。 - 小封装尺寸：便于集成到紧凑型设计中。 综上所述，IRF7946TR1PBF是一款性能优异的MOSFET，适用于多种电力电子设备和控制系统，特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MXMOSFET 40V 198A 1.4mOhm 141 nC PWR FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 198 A |
| Id-连续漏极电流 | 198 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7946TR1PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7946TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 96 W |
| Pd-功率耗散 | 96 W |
| Qg-GateCharge | 212 nC |
| Qg-栅极电荷 | 212 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 41 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6852pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 212nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 90A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF7946TR1PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MX |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 91 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 198 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
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