ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDB86135
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDB86135产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB86135由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB86135价格参考。Fairchild SemiconductorFDB86135封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 2.4W(Ta),227W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FDB86135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB86135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(现为安森美半导体)的FDB86135是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:FDB86135适用于开关电源中的同步整流和降压/升压转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功耗,提高效率。 - 负载开关:在需要快速切换负载电流的场景中,这款MOSFET能够提供稳定的性能,适合便携式设备和嵌入式系统。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:FDB86135可用于驱动小型直流电机,例如风扇、泵或玩具电机,提供高效且可靠的开关控制。 - H桥电路:在需要双向控制的电机应用中,该MOSFET可以用作H桥的一部分,实现正反转功能。 3. 消费类电子 - 笔记本电脑和智能手机充电器:FDB86135的紧凑封装(如SOIC或DFN)使其非常适合用于便携式设备的充电解决方案。 - 音频放大器:在D类音频放大器中,这款MOSFET可以用作输出级开关,提供高效率和低失真。 4. 工业应用 - LED驱动器:在恒流或恒压LED驱动电路中,FDB86135可以作为开关元件,确保LED的稳定亮度和长寿命。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,FDB86135可以用作固态继电器,替代传统机械继电器。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷电机控制等,FDB86135能够在高温环境下保持稳定运行。 - 电池管理系统(BMS):用于锂电池保护电路中,作为充放电路径的开关元件。 总结 FDB86135凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子、工业控制以及汽车电子等领域。它特别适合对效率和空间要求较高的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V D2PAKMOSFET PWM PFC COMBO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB86135PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB86135 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 227 W |
| Pd-功率耗散 | 227 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 116nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB86135CT |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 系列 | FDB86135 |
| 配置 | Single |