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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NVMFS5844NLWFT1G是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术,具有低栅极电荷和优异的开关性能,适用于高频率开关操作。 典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、同步整流电源模块,尤其在降压(Buck)转换器中表现优异,可提高整体效率。 2. 负载开关与电源管理:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源路径控制,实现低功耗待机与快速响应。 3. 电机驱动电路:适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,提供快速开关与低损耗。 4. 热插拔与过流保护电路:因其具备良好的电流处理能力和可靠性,常用于服务器、通信设备中的电源保护设计。 5. LED照明驱动:在恒流LED驱动电源中作为开关元件,提升能效和稳定性。 该MOSFET采用紧凑型LFPAK56(D-Pak)封装,支持表面贴装,有利于节省PCB空间并提升散热性能,适合高密度电子产品设计。其额定电压为30V,连续漏极电流可达9.7A,导通电阻低至8.8mΩ(典型值),兼顾高性能与节能需求。 综上,NVMFS5844NLWFT1G适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子中的中低功率电源应用,是追求高效率与小型化的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFS5844NLWFT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.2A (Ta) |