Datasheet下载- 型号： TK100L60W,VQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK100L60W,VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100L60W,VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100L60W,VQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK100L60W,VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK100L60W,VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK100L60W,VQ 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管，属于 FET、MOSFET - 单 类别，是一款高性能的功率 MOSFET。该器件主要用于高电压、高电流应用场景，具备良好的导通特性和开关性能。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器等，适用于需要高效能功率转换的工业和消费类电子产品。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）以及工业电机驱动中作为功率开关，实现对电机转速和方向的控制。 3. 照明系统：用于LED照明驱动、电子镇流器等，支持高效率和高稳定性的照明电源设计。 4. 汽车电子：应用于车载充电系统、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）等，满足汽车环境中对高可靠性和耐高温性能的需求。 5. 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器等，用于实现对功率负载的高效控制。 该器件具有 600V 耐压、100A 连续漏极电流能力，采用 TO-247 封装，便于散热，适用于高功率密度设计。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升系统效率并降低发热，适合中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 15000 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100L60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK100L60W,VQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100L60W |
| 产品型号 | TK100L60W,VQTK100L60W,VQ |
| Pd-PowerDissipation | 797 W |
| Pd-功率耗散 | 797 W |
| Qg-GateCharge | 360 nC |
| Qg-栅极电荷 | 360 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 125 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（L） |
| 其它名称 | TK100L60WVQ |
| 典型关闭延迟时间 | 690 ns |
| 功率-最大值 | 797W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
| 配置 | Single |
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