Datasheet下载- 型号： SI7308DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7308DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7308DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7308DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7308DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7308DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7308DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统，因其导通电阻低、效率高，有助于提升能效和减小发热。 2. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如电机驱动、LED 照明或加热元件，具备快速开关特性，响应时间短。 3. 逆变器与变频器：适用于小型逆变器、变频驱动系统，实现交流电的频率与电压调节，常见于工业控制或新能源设备中。 4. 汽车电子：支持车载电源系统、车载充电器等应用，符合汽车电子可靠性要求，适用于高温环境。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理模块，提供紧凑高效的功率控制方案。 该 MOSFET 封装小巧，支持表面贴装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于中低功率电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8MOSFET 60V 6.0A 19.8W 58mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73419 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7308DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7308DN-T1-GE3SI7308DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 65 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7308DN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 19.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 58 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 5.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7308DN-GE3 |
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