ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFHM830DTRPBF
Datasheet下载- 型号： IRFHM830DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM830DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM830DTRPBF价格参考。International RectifierIRFHM830DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）。您可以下载IRFHM830DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM830DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFHM830DTRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的单通道类型。该型号的 MOSFET 主要应用于高频、高效能的功率转换场景中，具体应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 IRFHM830DTRPBF 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）和高频率特性使其能够高效地进行电压转换和电流控制。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路中，提供高效的开关功能以实现精确的速度和扭矩控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFHM830DTRPBF 可作为功率开关器件，将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的能量转换。 4. 负载切换 该器件可用于负载切换应用，例如在汽车电子系统或工业设备中快速、可靠地接通或断开负载。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，IRFHM830DTRPBF 可用于保护电路，通过精确控制充电和放电路径来防止过流、短路等问题。 6. 通信设备 由于其高频性能，该 MOSFET 还适用于通信设备中的信号放大和功率调节，如基站和射频模块。 7. 消费电子产品 在笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等消费电子产品中，IRFHM830DTRPBF 提供了高效且紧凑的功率解决方案。 总体而言，IRFHM830DTRPBF 的高性能参数（如低 Rds(on)、高漏极电流、高击穿电压等）使其成为需要高效功率转换和开关操作的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A PQFNMOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM830DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM830DTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 6.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1797pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 典型关闭延迟时间 | 9.1 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 功率耗散 | 2.8 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 13 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 69 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta）， 40A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm830dpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm830dpbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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