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Datasheet下载- 型号： SI5471DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI5471DC-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5471DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5471DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5471DC-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5471DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5471DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5471DC-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道晶体管类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： - 适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电源管理系统，能够高效地开关电流以调节输出电压。 - 在电池供电设备中用于电池保护和充电控制。 2. 负载开关： - 用作负载开关，实现电路的快速开启与关闭，减少待机功耗并提高系统效率。 - 常见于消费电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源路径管理。 3. 电机驱动： - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关功能。 - 可应用于家用电器、玩具、自动化设备等领域。 4. 信号切换： - 在需要高频信号切换的应用中，例如音频设备或通信设备中的信号路由。 5. 过流保护： - 利用其低导通电阻特性，作为电子保险丝实现过流保护功能。 6. 便携式设备： - 因其低导通电阻 (Rds(on)) 和小封装尺寸，适合便携式设备（如笔记本电脑、移动电源）中的高效功率转换和管理。 7. 工业应用： - 用于工业控制系统的开关电路，如传感器接口、继电器替代等。 SI5471DC-T1-GE3 的优势在于其低导通电阻（典型值为 1.5mΩ）、高电流处理能力（最大连续漏极电流可达 80A）以及出色的热性能，使其非常适合对效率和散热要求较高的应用场合。同时，其紧凑的 TO-263-3 封装形式也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8MOSFET -20V 20mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5471DC-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5471DC-T1-GE3SI5471DC-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 35 ns, 8 ns |
| 下降时间 | 33 ns, 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2945pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 9.1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5471DC-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns, 78 ns |
| 功率-最大值 | 6.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Hex Drain |
| 零件号别名 | SI5471DC-GE3 |
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