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Datasheet下载- 型号： IRF6617TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF6617TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6617TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6617TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6617TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST。您可以下载IRF6617TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6617TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRF6617TR1PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于FET（场效应晶体管）中的一种，广泛应用于需要高效功率管理的电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其低导通电阻和高效率，有助于提高电源系统的整体能效。 2. 电机控制：常用于电动工具、家用电器和工业自动化中的电机驱动电路，提供快速开关和可靠性能。 3. 负载开关：在电池管理系统、电源分配系统中作为高效开关使用，控制电流流向负载。 4. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中，实现电能形式的高效转换。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电机驱动及LED照明控制等场景，满足汽车工业对可靠性和稳定性的高要求。 该器件采用TrenchFET技术，具备高功率密度和优异的热性能，适合在紧凑型设计中使用。封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFETMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6617TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6617TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 3.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它名称 | IRF6617TR1PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 ST |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 39 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 55A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6617.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6617.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Source |
