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型号： STB26NM60N
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STB26NM60N产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STB26NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB26NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB26NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 140W（Tc） D2PAK。您可以下载STB26NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB26NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STB26NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件的漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）为26A，适用于中高功率应用。其典型应用场景包括：

1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中，提高转换效率并减小体积。  
2. 工业电源系统：如工业控制设备、伺服驱动器和变频器中的DC-AC逆变电路。  
3. 照明系统：用于LED照明或HID灯镇流器的高频开关电路中。  
4. 电机驱动：用于家电或工业设备中的电机控制，如风扇、泵类负载。  
5. 新能源应用：如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换模块。  

该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和耐用性强等特点，适合高频开关应用，有助于提升系统能效并降低热量产生。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STB26NM60N
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1800pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	165 毫欧 @ 10A，10V
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-10985-6
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF244422?referrer=70071840
功率-最大值	140W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Tc）