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  • 型号: ZXMP6A18KTC
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A18KTC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A18KTC价格参考¥6.01-¥7.90。Diodes Inc.ZXMP6A18KTC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 6.8A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3。您可以下载ZXMP6A18KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMP6A18KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAKMOSFET 60V P-Channel 6.8A MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10.4 A

Id-连续漏极电流

10.4 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC-

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产品型号

ZXMP6A18KTC

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

10.1 W

Pd-功率耗散

10.1 W

Qg-GateCharge

44 nC

Qg-栅极电荷

44 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

上升时间

5.8 ns

下降时间

23 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1580pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

44nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 3.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

ZXMP6A18KTCCT

典型关闭延迟时间

55 ns

功率-最大值

2.15W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8.7 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.8A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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