【未分类_IRFB3006PBF】封装/厂家_IRFB3006PBF中文资料_价格

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型号： IRFB3006PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3006PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3006PBF价格参考。International RectifierIRFB3006PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFB3006PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB3006PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFB3006PBF的MOSFET是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源（SMPS）：IRFB3006PBF可用作开关管，在开关电源中实现高效的直流-直流或交流-直流转换。
   - DC-DC转换器：在降压或升压转换器中，该MOSFET能够高效地控制电流流动，提供稳定的输出电压。
   - 电池充电器：用于电池充电电路中，作为开关元件调节充电电流和电压。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动器中，IRFB3006PBF可以用作功率级的一部分，用于控制电机的相位切换。
   - 步进电机驱动：在步进电机控制系统中，该MOSFET可以实现精确的电流控制和快速响应。

 3. 负载开关
   - 在需要动态开启或关闭负载的电路中，IRFB3006PBF可以用作负载开关，实现低导通电阻（Rds(on)）以减少功耗。

 4. 逆变器
   - 太阳能逆变器：在光伏发电系统中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，提高能量转换效率。
   - 家用或工业逆变器：用于将电池或直流电源转换为交流电源，为电器供电。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备：如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等应用中，该MOSFET可作为功率开关。
   - 电动助力转向（EPS）：在汽车电动助力转向系统中，用于控制电机的运行。

 6. 保护电路
   - 过流保护：利用MOSFET的开关特性，实现对电路的过流保护功能。
   - 短路保护：在发生短路时，快速切断电流路径以保护其他元器件。

 7. 音频放大器
   - 在D类音频放大器中，IRFB3006PBF可以用作输出级开关元件，提供高效率和低失真的音频信号放大。

 总结
IRFB3006PBF凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种高频、高效率的电力电子应用。它特别适合需要高电流承载能力和快速开关特性的场景，例如电源转换、电机驱动和逆变器等。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 60V 195A TO-220ABMOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	270 A
Id-连续漏极电流	270 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3006PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB3006PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	375 W
Pd-功率耗散	375 W
Qg-GateCharge	200 nC
Qg-栅极电荷	200 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.1 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.1 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	8970pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	300nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.5 毫欧 @ 170A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	375W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	195A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb3006.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb3006.spi