Datasheet下载- 型号： PSMN057-200B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN057-200B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN057-200B,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN057-200B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN057-200B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN057-200B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN057-200B,118 是 NXP（恩智浦）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅5.7 mΩ @ VGS=10 V，7.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID连续达120 A）及优良热性能。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信设备的DC-DC转换器、POL（负载点）模块中的同步整流与主开关，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷（BLDC）电机控制、电动工具、风扇及工业泵的H桥或半桥驱动电路； - 电源管理与热插拔保护：在服务器背板、电源分配单元（PDU）中用作OR-ing FET或电子保险丝（eFuse），实现快速过流保护与软启动； - LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关； - 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或轻型储能系统中承担充放电路径控制与保护功能。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动），具备雪崩耐量（UIS rated），可靠性高，符合工业级温度范围（–55°C 至 +175°C），适用于对效率、密度和鲁棒性要求较高的中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN057-200B,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5952-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 39A （Tc） |
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