Datasheet下载- 型号： PSMN057-200B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN057-200B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN057-200B,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN057-200B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN057-200B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN057-200B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的PSMN057-200B,118是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路，适合用于提高能效和减小体积的设计。 2. 负载开关：用于电池供电设备中的负载切换控制，如笔记本电脑、平板和智能手机，因其低导通损耗可延长电池寿命。 3. 马达驱动：适用于小型电机控制电路，如无人机、电动工具和家用电器中的马达驱动模块。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）等，符合汽车级可靠性要求。 5. 工业控制：如PLC、工业电源和自动化设备中的开关控制单元。 6. 通信设备：用于基站电源、光模块供电、服务器电源等高密度电源系统中，支持高频高效运行。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛用于需要高效能与小型化设计的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN057-200B,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5952-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 39A （Tc） |
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