Datasheet下载- 型号： BSS123NH6433XTMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123NH6433XTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123NH6433XTMA1价格参考￥0.22-￥0.23。InfineonBSS123NH6433XTMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSS123NH6433XTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS123NH6433XTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS123NH6433XTMA1 是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功率场景。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适合在便携式电子设备和高密度电路中使用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. 信号切换：在模拟或数字信号路由中作为开关元件，适用于通信模块、传感器接口和音频电路。 3. DC-DC转换器：用于小型开关电源或升压/降压电路中，提升电源转换效率。 4. 电机驱动：适用于微型电机或步进电机的驱动控制，常见于打印机、玩具和小型家电。 5. LED驱动：用于控制LED灯的开关或亮度调节，尤其在空间受限的照明应用中表现优异。 BSS123NH6433XTMA1采用SOT-23封装，体积小巧，便于高密度贴装，适合自动化生产。其稳定性能和高ESD防护能力也增强了系统可靠性。总体而言，该MOSFET特别适用于对空间、功耗和效率要求较高的消费电子、工业控制和汽车电子中的辅助电路。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 190 mA |
| Id-连续漏极电流 | 190 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS123NH6433XTMA1 |
| 产品型号 | BSS123NH6433XTMA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 0.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V |
| 上升时间 | 3.2 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 7.4 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.41 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 190 mA |
| 系列 | BSS123 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000939268 |
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