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Datasheet下载- 型号： BUK661R6-30C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK661R6-30C,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK661R6-30C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK661R6-30C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK661R6-30C,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载BUK661R6-30C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK661R6-30C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK661R6-30C,118 是一款30V N沟道MOSFET，具有低导通电阻（典型值为1.6mΩ），适用于高效率、大电流开关应用。该器件采用成熟可靠的LFPAK（Power-SO8）封装，具备优异的热性能和可靠性，适合在紧凑空间内实现高效功率管理。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流模块及负载开关电路中，提升转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家用电器和工业控制中的小型直流电机驱动，因其低导通电阻可减少发热，提高系统能效。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、移动电源、便携式设备中的电源切换与保护电路，有助于延长电池续航时间。 4. 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）等，满足AEC-Q101车规认证要求，具备高可靠性和温度耐受性（工作温度可达175°C）。 5. 工业与消费类电子产品：适用于电源适配器、充电器、服务器电源模块等需要高效开关性能的场合。 BUK661R6-30C,118凭借其高电流承载能力（连续漏极电流达130A）、快速开关特性及小尺寸封装，成为高密度、高性能功率设计的理想选择，尤其适合对散热和空间有严格要求的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK661R6-30C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14964pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 229nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6995-1 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
