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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)旗下的型号 IRFL024NTR 是一款 N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、快速开关性能的电力电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换。 2. 电机控制:在电动工具、电动车、工业自动化设备中,用于驱动直流电机或步进电机。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制大电流负载的通断,如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块等,满足汽车环境下的高可靠性和稳定性需求。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(VDS=55V)、高电流能力(ID=20A)和良好的热稳定性,适合高频开关应用,采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFL024NTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 2.8A,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Ta) |