Datasheet下载- 型号： SSM3K324R,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K324R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K324R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K324R,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K324R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K324R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM3K324R,LF（品牌：Toshiba Semiconductor and Storage），属于 晶体管 - FET，MOSFET - 单 类别的电子元件，主要应用于以下场景： 该MOSFET是一款P沟道功率场效应晶体管，常用于电源管理和负载开关电路中。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块，用于高效控制电池供电电路。 2. DC-DC转换器：在各类电源转换电路中作为开关元件，实现高效能的电压转换。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于控制小功率电机或继电器的开关，具有响应快、功耗低的优点。 4. 工业自动化设备：作为功率控制元件，用于传感器、执行器和控制模块中。 5. 汽车电子系统：如车载充电系统、LED照明控制等，适用于对可靠性和效率有较高要求的场景。 该器件具有低导通电阻、小封装、高可靠性等优点，适合高密度电路设计和节能应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 200 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23FMOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K324R |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K324R,LF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SSM3K324R,LFSSM3K324R,LF |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 2.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 109 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 109 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.4 V to 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.4 V to 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | SSM3K324RLFDKR |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 109 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-23F-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 配置 | Single |
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