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  • 型号: SSM3K324R,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K324R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K324R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K324R,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM3K324R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3K324R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

200 pF

描述

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23FMOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K324R

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K324R,LF-

数据手册

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产品型号

SSM3K324R,LFSSM3K324R,LF

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

2.2 nC

Qg-栅极电荷

2.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

109 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

109 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.4 V to 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.4 V to 1 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

190pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23F

其它名称

SSM3K324RLFDKR

功率-最大值

-

包装

Digi-Reel®

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

109 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-3 扁平引线

封装/箱体

SOT-23F-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

4 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Ta)

配置

Single

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