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- 型号： SI4620DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4620DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4620DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4620DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4620DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4620DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4620DY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.8V逻辑电平兼容设计，适用于低电压、高效率的电源管理场景。其主要应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源开关与负载管理，用于电池供电系统的通断控制，有效降低功耗并延长续航时间。该器件也常用于DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关，提升转换效率。由于其小尺寸封装（TSOP-6），适合对空间要求严格的紧凑型电子产品。此外，SI4620DY-T1-GE3还可应用于热插拔电路、电机驱动控制和各类低功率开关电路中，提供快速响应和低导通电阻（RDS(on)）。其可靠的性能和稳定的热特性使其在工业控制、消费类电子和通信设备中广泛使用。总体而言，该MOSFET适用于需要高效、小型化和低功耗设计的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4620DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1040pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4620DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta）， 7.5A （Tc） |
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