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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDTL03N150CG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDTL03N150CG价格参考¥10.70-¥19.81。ON SemiconductorNDTL03N150CG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDTL03N150CG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDTL03N150CG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDTL03N150CG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - NDTL03N150CG 的高电压耐受能力(1500V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。 - 常见于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,作为主开关器件或同步整流器。 2. 电机驱动 - 在工业电机控制和家用电器电机驱动中,该 MOSFET 可用作功率级开关。 - 适用于需要高电压切换的无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机控制系统。 3. 逆变器 - 广泛应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,用于将直流电转换为交流电。 - 其低导通电阻(典型值 0.95Ω @ VGS = 10V)有助于提高效率并减少功率损耗。 4. 固态继电器 (SSR) - 在需要隔离控制的场景中,NDTL03N150CG 可用作输出开关元件,实现对负载的快速、可靠控制。 - 适合工业自动化、楼宇自动化等领域。 5. 电力电子保护电路 - 用于过压保护、短路保护或负载开关等场景。 - 其高可靠性设计确保在极端条件下仍能正常工作。 6. 电动汽车与充电桩 - 在电动车的电池管理系统 (BMS) 或充电桩中,该 MOSFET 可用于高压切换或保护功能。 - 支持高效的能量传输和管理。 7. 照明系统 - 在 LED 照明驱动器中,可作为功率开关或调光控制器使用。 - 提供稳定的电流输出以确保灯具正常运行。 总结来说,NDTL03N150CG 凭借其高耐压特性、低导通电阻和优异的热性能,广泛应用于高压、大功率的电力电子领域,能够满足多种工业、消费类及汽车电子需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDTL03N150CG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDTL03N150CG |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.5 欧姆 @ 1.25A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P(L) |
| 其它名称 | NDTL03N150CGOS |
| 典型关闭延迟时间 | 140 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
| 系列 | NDTL03N150C |