Datasheet下载- 型号： SIE822DF-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE822DF-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE822DF-T1-E3价格参考。VishaySIE822DF-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE822DF-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE822DF-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE822DF-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（-20V）和大电流承载能力（-4.1A），适用于需要高效能和小尺寸封装的设计。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的开关元件，提高能效并减少发热。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中控制电源通断，实现低功耗管理。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机或继电器控制电路中，提供快速开关和可靠性。 4. 保护电路：作为反向电流阻断或过载保护元件，增强系统稳定性。 该 MOSFET 采用 8-PowerPAK 封装，散热性能好，适合高密度 PCB 设计。由于其逻辑电平栅极驱动特性，可直接由数字控制器（如 MCU）驱动，简化电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE822DF-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 18.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（S） |
| 其它名称 | SIE822DF-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（S） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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